光學(xué)平臺產(chǎn)品及廠家
ure-2000b 型紫外單面光刻機(jī)，曝光面積：100mmx100mm，分辨力：0.8μm（膠厚 2μm 的正膠）
更新時(shí)間:2025-12-15
ure-2000/600 紫外單面光刻機(jī)，光束口徑： 650mm×650mm，對準(zhǔn)精度： ±1.5μm
更新時(shí)間:2025-12-15
ds-2000/14k 無掩膜單面光刻機(jī)，采用 dmd 作為數(shù)字掩模，像素?cái)?shù) 1024×768，采用 14 倍縮小投影光刻物鏡成像。
更新時(shí)間:2025-12-15
ds-2000/14g 型無掩模單面光刻機(jī),采用 dmd 作為數(shù)字掩模，像素?cái)?shù) 1024×768 或 1920×1080 或 25601600 三種選配,采用縮小投影光刻物鏡成像，分辨力 1um。
更新時(shí)間:2025-12-15
ure-2000/35a 型紫外單面光刻機(jī),,非常適合工廠（效率高，操作傻瓜型，全自動）和高校教學(xué)科研（可靠性好，演示方便）采用自動找平，具備真空接觸曝光、硬接觸曝、壓力接觸曝以及接近式曝光四種功能，自動分離對準(zhǔn)間隙和消除曝光間隙，采用 350w 進(jìn)口（德國）直流汞燈，可調(diào)節(jié)光的能量密度。設(shè)備外形美觀精制，性能非?？煽浚詣踊潭群芨?，操作十分方便。
更新時(shí)間:2025-12-15
ure-2000/35 型紫外單面光刻機(jī),非常適合工廠（效率高，操作傻瓜型，自動化程度高）和高校教學(xué)科研（可靠性好，演示方便）采用自動找平，具備真空接觸曝光、硬接觸曝、壓力接觸曝以及接近式曝光四種功能，自動分離對準(zhǔn)間隙和消除曝光間隙，采用 350w 進(jìn)口（德國）直流汞燈，可調(diào)節(jié)光的能量密度。設(shè)備外形美觀精制，性能非?？煽?，自動化程度很高，操作十分方便。
更新時(shí)間:2025-12-15
ure-2000/35l 型紫外單面光刻機(jī),曝光面積：100mm×100mm；分辨力：1.0 μm（膠厚 2.0 μm 的正膠，365nm 波長）
更新時(shí)間:2025-12-15
ure-2000/17 型紫外單面光刻機(jī)（臺式）,曝光面積：4 英寸,分辨力：1.5μm（膠厚 2 m 的正膠）,對準(zhǔn)精度：±1μm
更新時(shí)間:2025-12-15
ure-2000/25 型紫外單面光刻機(jī)，曝光面積：4 英寸,分辨力：1 μm（膠厚 2 μm的正膠）,對準(zhǔn)精度：± 0.8μm
更新時(shí)間:2025-12-15
ure-2000s/25a 型紫外雙面光刻機(jī)，曝光面積：6 英寸，分辨力：1 μm
更新時(shí)間:2025-12-15
ure-2000s/25 型紫外雙面光刻機(jī)，曝光面積：4 英寸，正面對準(zhǔn)采用雙目雙視場對準(zhǔn)顯微鏡：既可通過目鏡目視對準(zhǔn)，也可通過 ccd+顯示器對準(zhǔn)，光學(xué)合像，光學(xué)大倍數(shù) 400 倍，光學(xué)+電子放大 800 倍
更新時(shí)間:2025-12-15
ure-2000s/b 型紫外雙面光刻機(jī),曝光面積：6 英寸，對準(zhǔn)精度：± 2μm （雙面,片厚 0.8mm），± 0.8μm （單面）
更新時(shí)間:2025-12-15
ure-2000s/a8 型紫外雙面光刻機(jī), 曝光面積：8 英寸, 曝光波長：365nm： 15mw/cm，405nm：15-30mw/cm2, 對準(zhǔn)精度：±2 μm （雙面,片厚 0.8mm）±0.8 μm （單面）
更新時(shí)間:2025-12-15
ure-2000s/25s 型雙面光刻機(jī)，曝光面積：4 英寸（或 6 英寸），正面對準(zhǔn)采用雙目雙視場對準(zhǔn)顯微鏡：既可通過目鏡目視對準(zhǔn)，也可通過 ccd+顯示器對準(zhǔn)，光學(xué)合像，光學(xué)大倍數(shù) 400 倍，光學(xué)+電子放大 800 倍
更新時(shí)間:2025-12-15
ure-2000s/35l（a）型紫外雙面光刻機(jī)，曝光面積：6 英寸，正面對準(zhǔn)采用雙目雙視場對準(zhǔn)顯微鏡：既可通過目鏡目視對準(zhǔn)，也可通過 ccd+顯示器對準(zhǔn)，光學(xué)合像，光學(xué)大倍數(shù) 400 倍，光學(xué)+電子放大 800 倍
更新時(shí)間:2025-12-15
ure-2000s/35l（b）型雙面光刻機(jī), 曝光面積：4 英寸, 正面對準(zhǔn)采用雙目雙視場對準(zhǔn)顯微鏡：既可通過目鏡目視對準(zhǔn)，也可通過 ccd+顯示器對準(zhǔn)，光學(xué)合像，光學(xué) 大倍數(shù) 400 倍，光學(xué)+電子放大 800 倍
更新時(shí)間:2025-12-15
ure-2000/30 型紫外單面光刻機(jī),高倍率雙目雙視場顯微鏡和 22 英寸寬屏液晶顯示同時(shí)觀察對準(zhǔn)過程，并提供 usb 輸出；既滿足高精度對準(zhǔn)，又可用于檢測曝光結(jié)果，且曝光結(jié)果和方便存儲
更新時(shí)間:2025-12-15
ure-2000/35al 型紫外單面光刻機(jī),曝光面積：150mm×150mm；分辨力：1.0μm（365nm 波長）,對準(zhǔn)精度：≤±0.8μm
更新時(shí)間:2025-12-15
美國 oai 光刻機(jī) model 200 型桌面掩模對準(zhǔn)器系統(tǒng)，完全手工操作，輸出光譜范圍:hg: g(436海里),h(405海里),i(365nm)和310nm線，hg-xe: 260nm和220nm或led: 365nm, 395nm, 405nm
更新時(shí)間:2025-12-15
oai model 212型桌面掩模對準(zhǔn)系統(tǒng), 輸出光譜范圍:hg: g(436nm),h(405nm),i(365nm)和310nm,hg-xe: 260 nm和220 nm或led:365 nm、395 nm和405 nm
更新時(shí)間:2025-12-15
oai model 800e 型掩模對準(zhǔn)系統(tǒng)，各種光譜范圍選項(xiàng):hg燈:g(436nm),h(405nm)， i(365nm)和310nm線，hg-xe燈:260nm和220nm
更新時(shí)間:2025-12-15
oai 掩膜光刻機(jī) model 6000型，高吞吐量180 wph，靈活處理基板從2“平方到12”平方
更新時(shí)間:2025-12-15
oai的面板掩模光刻機(jī) model 6020s, 用于foplp型號6020s -半自動化或自動化,實(shí)現(xiàn)500mm x 500mm 晶圓尺寸的fo-plp加工.
更新時(shí)間:2025-12-15
nie-4000 離子束刻蝕系統(tǒng)，nir-4000 ibe/rie 雙刻蝕系統(tǒng)，通過加速的 ar 離子進(jìn)行物理刻蝕或銑削。對于硅的化合物也可以通過反應(yīng)離子束刻蝕的方式提高刻蝕速率和深寬比。
更新時(shí)間:2025-12-15
hysitron ti 980 納米壓痕儀bruker hysitron ti 980 triboindenter 加速納米力學(xué)研究進(jìn)入更高階段,同時(shí)具有高的性能、靈活性、可信度、實(shí)用性和速度?；诤Ｋ紕?chuàng)幾十年的技術(shù)創(chuàng)新，它為納米力學(xué)表征帶來了高水平的性能、功能和易用性。ti 980達(dá)到了臺優(yōu)異納米力學(xué)測試儀
更新時(shí)間:2025-12-15
echo pro 全自動超聲波掃描顯微鏡美 sonix 全自動超聲波掃描顯微鏡echo pro , 批量 tray盤和框架直接掃瞄, 編程自動判別缺陷, 高產(chǎn)量,無需人員重復(fù)設(shè)置, 自動烘干.
更新時(shí)間:2025-12-15
日本elionix 微細(xì)加式電子束曝光電子束直寫機(jī)els-f125，是elionix推出的上臺加速電壓達(dá)125kv的電子束曝光系統(tǒng)，其可加工線寬下限為5nm的精細(xì)圖形。
更新時(shí)間:2025-12-15
日本elionix 超高精密電子束光刻系統(tǒng) els-f150, 是上第 個(gè)150千伏電子束光刻系統(tǒng)。支持單位納米用于高研究的設(shè)備制造。
更新時(shí)間:2025-12-15
octoplus 500 mbe系統(tǒng)是為了在6英寸襯底上生長高質(zhì)量的iii/v族或者ii-vi族異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料而研發(fā)業(yè)分子束外延系統(tǒng)。樣品臺選用熱解石墨加熱或者鎢、鉭加熱絲。標(biāo)準(zhǔn)的octoplus 500有11個(gè)呈放射狀分布的源孔，可以根據(jù)需要增選3個(gè)源孔。
更新時(shí)間:2025-12-15
英國hhv auto500 gb 適合手套箱集成的真空鍍膜系統(tǒng)，是門設(shè)計(jì)用于手套箱集成使用的鍍膜設(shè)備，滿足氧氣或水汽敏感的材料鍍膜的應(yīng)用要求。該系統(tǒng)配了一個(gè)特殊結(jié)構(gòu)的真空腔室，可直接與市場上大多數(shù)手套箱集成到一起。真空腔室的門可豎直滑動開關(guān)，嵌入手套箱內(nèi)，并占用很少的手套箱空間；其后門是鉸鏈扇式開關(guān)，能在不影響手套箱內(nèi)氣氛的情況下輕松維護(hù)腔室內(nèi)工藝組件。
更新時(shí)間:2025-12-15
奧地利smartnil紫外納米壓印：evg7200，leds 制作，led pss納米壓印工藝，led納米透鏡陣列；微流體學(xué)；芯片實(shí)驗(yàn)室；抗反射層； 納米壓印光柵； 蓮花效應(yīng)；光子帶隙；光學(xué)及通訊：光晶體，激光器件；生物技術(shù)解決方案：醫(yī)藥分析，血液分析，細(xì)胞生長。
更新時(shí)間:2025-12-15
evg610是一款非常靈活的適用于研發(fā)和小批量試產(chǎn)的對準(zhǔn)系統(tǒng)，可處理大200mm之內(nèi)的各種規(guī)格的晶片。evg610支持各種標(biāo)準(zhǔn)的光刻工藝，例如：真空、軟、硬接觸和接近曝光；也支持其他特殊的應(yīng)用，如鍵合對準(zhǔn)、納米壓印光刻、微接觸印刷等。系統(tǒng)中的工具更換非常簡便快捷，每次更換都可在一分鐘之內(nèi)完成，而不需要門的工程人員和培訓(xùn)，非常適合大學(xué)、研究所的科研實(shí)驗(yàn)和小批量生產(chǎn)。
更新時(shí)間:2025-12-15
奧地利evg鍵合機(jī)：evg510，是一款半自動晶圓鍵合系統(tǒng)，可以處理大200mm的晶圓，非常適合于研發(fā)和小批量生產(chǎn)。evg510提供了除上料和下料外的全自動工藝處理過程，并配備了業(yè)界公認(rèn)的優(yōu)異的加熱和壓力均勻性系統(tǒng)。evg510模塊化的鍵合腔室設(shè)計(jì)可用于150mm或200mm晶圓鍵合，并且其工藝菜單與evg其他更高系列的鍵合機(jī)相匹配，可以方便的實(shí)現(xiàn)從實(shí)驗(yàn)線到量產(chǎn)線的工藝復(fù)制。
更新時(shí)間:2025-12-15
evg520is是一款設(shè)計(jì)用于小批量生產(chǎn)的半自動晶圓鍵合系統(tǒng)， 大硅片允許尺寸為200mm。集evg新技術(shù)及客戶反饋基礎(chǔ)上設(shè)計(jì)的evg520is，配備了evg公司的利吸盤設(shè)計(jì)---這種吸盤可以提供對稱的快速加熱和冷卻功能。evg520is的很多優(yōu)勢特性，如獨(dú)立的上下盤加熱和高壓鍵合工藝、高度的材料和工藝靈活性等，都幫助客戶很好的實(shí)施鍵合研究和生產(chǎn)。
更新時(shí)間:2025-12-15
evg620 單面/雙面光刻機(jī)(帶有壓印功能），evg620 是一款非常靈活和可靠的光刻設(shè)備，可配置為半自動也可以為全自動形式。evg620 既可以用作雙面光刻機(jī)也可以用作 150mm 硅片的精確對準(zhǔn)設(shè)備；既可以用作研發(fā)設(shè)備，也可以用作量產(chǎn)設(shè)備。精密的契型補(bǔ)償
更新時(shí)間:2025-12-15
英國nanobean nb5 電子束光刻機(jī),具有良好的穩(wěn)定性，平均正常運(yùn)行時(shí)間超過93%.
更新時(shí)間:2025-12-15
瑞典 mycronic 掩膜版光刻機(jī) fps6100，用于制作高精度掩膜版，廣泛用于半導(dǎo)體，tft-lcd，微電子等行業(yè)。
更新時(shí)間:2025-12-15
系統(tǒng)中集成了高精度的激光干涉工作臺，運(yùn)動行程為50 x 50 x 25mm，xy方向定位精度為2nm，可以實(shí)現(xiàn)精確的拼接套刻，拼接套刻精度≤50nm。
更新時(shí)間:2025-12-15
ebpg5150使用了155mm大小的樣品臺，采用跟ebpg5200一樣的通用光刻平臺設(shè)計(jì)，對電子束直寫應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。它可以載入不同大小的樣品,包括多片散片以及完整的硅片。
更新時(shí)間:2025-12-15
德國raith voyager 新一代超高分辨率電子束光刻機(jī),系統(tǒng)可實(shí)現(xiàn)8英寸樣品的高速曝光。系統(tǒng)的穩(wěn)定性是非常關(guān)鍵的指標(biāo)，可保證大面積均勻曝光。該系統(tǒng)外部采用環(huán)境屏蔽罩，即使在稍差的實(shí)驗(yàn)室環(huán)境下，仍然能確保系統(tǒng)具有非常好的熱穩(wěn)定性，提高系統(tǒng)對外界環(huán)境的容忍度。
更新時(shí)間:2025-12-15
raith 150 two可實(shí)現(xiàn)亞5nm的曝光結(jié)構(gòu)，可處理8”晶元及以下樣片。環(huán)境屏蔽罩保證了系統(tǒng)的熱穩(wěn)定性，提高設(shè)備對實(shí)驗(yàn)室環(huán)境的容忍度，即使在相對糟糕的實(shí)驗(yàn)室環(huán)境下，也能保證系統(tǒng)的正常穩(wěn)定運(yùn)行。
更新時(shí)間:2025-12-15
raith 150 two可實(shí)現(xiàn)亞5nm的曝光結(jié)構(gòu)，可處理8”晶元及以下樣片。環(huán)境屏蔽罩保證了系統(tǒng)的熱穩(wěn)定性，提高設(shè)備對實(shí)驗(yàn)室環(huán)境的容忍度，即使在相對糟糕的實(shí)驗(yàn)室環(huán)境下，也能保證系統(tǒng)的正常穩(wěn)定運(yùn)行。
更新時(shí)間:2025-12-15
ne-550z是高真空load-lock式干法等離子刻蝕裝置，適用于半導(dǎo)體材料、金屬材料等的精細(xì)刻蝕
更新時(shí)間:2025-12-15
返回式真空濺射裝置 cs-200z，高真空交直流濺射設(shè)備.適用于金屬、合金 、陶瓷材料的高品質(zhì)濺射成膜.
更新時(shí)間:2025-12-15
美國neocera 脈沖激光沉積系統(tǒng)pioneer 180-2-pld,一種用途廣泛的、用于薄膜沉積以及納米結(jié)構(gòu)和納米粒子合成的方法
更新時(shí)間:2025-12-15
2英寸氮化鎵自支撐晶片, 10×10.5mm²氮化鎵自支撐晶片, 非性/半性氮化鎵自支撐晶片, 4英寸氮化鎵厚膜晶片, 2英寸氮化鋁厚膜晶片, 2英寸氮化鎵厚膜晶片
更新時(shí)間:2025-12-15
英國hhv auto 306 科研工作者和電子顯微學(xué)家的多功能鍍膜設(shè)備，是一種多功能的緊湊型鍍膜設(shè)備，設(shè)計(jì)用于滿足科研工作者和電子顯微學(xué)家的需求。auto306可配備各種真空系統(tǒng)、真空腔室和標(biāo)準(zhǔn)化工藝附件，提供一系列實(shí)驗(yàn)技術(shù)以滿足現(xiàn)代化實(shí)驗(yàn)室的需要。
更新時(shí)間:2025-12-15
tf500/tf600 適合先進(jìn)研發(fā)和試生產(chǎn)的全功能系統(tǒng)，系統(tǒng)配置可選擇多種腔室尺寸和工藝附件，以精確的符合用戶需求。這兩個(gè)型號的系統(tǒng)都可以安裝多個(gè)鍍膜源，也都支持離子束處理選項(xiàng)。有一系列預(yù)進(jìn)樣室（load lock）和樣品操縱裝置可供選擇，以提高真空鍍膜效率。
更新時(shí)間:2025-12-15
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